PL和PLE－lives｜痞客邦

光致發光,光激螢光,photoluminescence,PL

由於半導體材料的能階大小介於導體與絕緣體之間,理論上在0K的溫度下,所有電子都是位在價電帶上,若今天將一能量高於能階的光(通常實驗都是以雷射進行)打向樣品,則會有部分電子吸收光源能量後而躍遷至較高能階,隨後又會自發性地掉至低能階,而掉落的過程其能量若以光的形式釋放,此發出的光就是光激螢光..光激螢光是研究半導體材料時常被使用的非破壞性量測技術,除了可以從其中了解到材料的能隙大小外,更可藉著不同形式的光激螢光量測方法進一步研究出樣品許多特性(如活化能~載子生命期~樣品結構等等)...

光激螢光激發光譜,photoluminescence,PLE

一般人較容易將PLE與吸收光譜相混淆,事實上PLE也算是吸收光譜的一種,只是它能夠針對特定螢光波長的能量進行吸收光譜的分析。
簡單的說：一塊發光波段包含600nm~700nm的樣品,若進行吸收光譜可以得到此樣品所有的吸收帶;而PLE則是可以得到它發出特定波長(例如650nm)的吸收帶。

PLE特殊的地方也在於它是使用連續光源(如氙氣燈,鹵素燈)作為激發光源...